‌Wat zijn de verschillen tussen siliciumnitridesubstraat en substraat?

De belangrijkste verschillen tussensiliciumnitride substraaten substraat zijn hun definities, toepassingen en kenmerken. ‌

1. Definitie en gebruik

‌Siliciumnitridesubstraat‌:Siliciumnitridesubstraatis een keramisch materiaal dat voornamelijk wordt gebruikt bij de vervaardiging van vermogenshalfgeleiderapparaten, met name vermogensmodules. Het heeft een hoge thermische geleidbaarheid, hoge mechanische sterkte en goede thermische aanpassing, en is geschikt voor toepassingsscenario's die een hoge betrouwbaarheid en hoge temperatuurbestendigheid vereisen. ‌Substraat‌: Substraat verwijst meestal naar de onderliggende ondersteuningsstructuur die wordt gebruikt voor de productie van chips. Veel voorkomende substraatmaterialen zijn onder meer monokristallijne siliciumwafels, SOI-substraten, SiGe-substraten, enz. De keuze van het substraat hangt af van specifieke toepassingsvereisten, zoals geïntegreerde schakelingen, microprocessors, geheugen, enz.

2. Vergelijking van kenmerken

Siliciumnitridesubstraat‌ ‌

Hoge thermische geleidbaarheid‌: De thermische geleidbaarheid van siliciumnitride is wel 80 W/m·K of meer, wat geschikt is voor de warmteafvoerbehoeften van apparaten met een hoog vermogen. ‌Hoge mechanische sterkte‌: Het heeft een hoge buigsterkte en hoge breuktaaiheid, wat een hoge betrouwbaarheid garandeert. ‌ ‌ Matching van de thermische uitzettingscoëfficiënt ‌: Het is zeer vergelijkbaar met het SiC-kristalsubstraat, waardoor een stabiele match tussen de twee wordt gegarandeerd en de algehele betrouwbaarheid wordt verbeterd ‌.

Substraat

Verschillende soorten: Inclusief monokristallijne siliciumwafels, SOI-substraten, SiGe-substraten, enz., Elk substraatmateriaal heeft zijn specifieke toepassingsgebied en prestatievoordelen.

‌Breed scala aan toepassingen ‌: Wordt gebruikt voor de vervaardiging van verschillende soorten chips en apparaten, zoals geïntegreerde schakelingen, microprocessors, geheugen, enz. ‌.

3. Toepassingsscenario's

‌Siliciumnitridesubstraat‌: Wordt voornamelijk gebruikt voor apparaten met hoog vermogen op gebieden zoals nieuwe energievoertuigen en moderne transportsporen. Vanwege de uitstekende warmteafvoerprestaties, mechanische sterkte en stabiliteit is het geschikt voor hoge betrouwbaarheidseisen in complexe omgevingen.

‌Substraat‌: Op grote schaal gebruikt bij verschillende chipproductie, en de specifieke toepassing hangt af van het type substraat. Siliciumwafels met één kristal worden bijvoorbeeld veel gebruikt bij de vervaardiging van geïntegreerde schakelingen en microprocessors, SOI-substraten zijn geschikt voor geïntegreerde schakelingen met hoge prestaties en laag vermogen, en SiGe-substraten worden gebruikt voor bipolaire heterojunctietransistors en gemengde signaalcircuits, enz.